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产品和服务中心
GaN 基电子材料
外延生长和器件 微加工代工服务
准垂直结构器件用 Si 衬底厚膜外延片
对比选型>
GaN-on-Si for vertical power devices
适用于准垂直结构SBD
尺寸 4-6英寸
厚度>5μm
μ＞800 cm2/Vs
功率器件用 Si 衬底外延片
对比选型>
GaN-on-Si for power devices
高耐压HEMT外延片，适用于快充等应用领域的功率器件制备
尺寸 4、6、8英寸
耐压 650V
方阻 350 ohm/sq
