AG旗舰厅·(中国)首页

AG旗舰厅

产品和服务中心

GaN-on-Si for power devices 规格书下载

高耐压HEMT外延片，适用于快充等应用领域的功率器件制备

尺寸 4、6、8英寸

耐压 650V

方阻 350 ohm/sq

Details of GaN-on-Si for power devices

关于我们: 公司介绍; 联系我们; 招贤纳士

产品中心: GaN 基电子材料; 外延生长和器件微加工代工服务

新闻中心: 公司新闻; 媒体报道; 公告栏; 行业资讯

010-80490330

E-mail：sales@semigan.com

地址：北京市顺义区文良街15号院1号楼3层A1区（顺创）

微信公众号

Copyright © AG旗舰厅备案号：京ICP备2021006150号-1